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厂商型号

NSVEMX1DXV6T1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT

内部编号

277-NSVEMX1DXV6T1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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NSVEMX1DXV6T1G产品详细规格

规格书 NSVEMX1DXV6T1G datasheet 规格书
封装 Reel
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 7 V
最大功率耗散 357 mW
直流集电极/增益hfe最小值 120 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-563
连续集电极电流 100 mA
工厂包装数量 4000
系列 EMX1
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 357 mW
RoHS RoHS Compliant

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